Samsung Electronics: Produksi massal HBM4E generasi ketujuh akan dimulai pada paruh pertama tahun depan

Samsung Electronics: "Memulai produksi massal HBM4E generasi ketujuh pada paruh pertama tahun depan, bisnis foundry wafer mencapai pertumbuhan dua digit"

Pendapatan HBM4 Samsung Electronics pada kuartal ketiga meningkat lebih dari tiga kali lipat dibandingkan kuartal sebelumnya. Poin pengamatan berikutnya adalah apakah ekspansi produk yang ada dapat berlanjut hingga produksi massal HBM4E pada tahun 2027 serta pertumbuhan bisnis foundry wafer.

HBM adalah memori bandwidth tinggi yang digunakan untuk akselerator AI. Samsung Electronics menyatakan bahwa pada bulan Mei tahun ini telah mengirimkan sampel HBM4E 12 lapis kepada pelanggan, dan kali ini mengumumkan rencana memulai produksi massal pada paruh pertama 2027 serta meningkatkan output pada paruh kedua tahun yang sama.

Harga jual rata-rata DRAM pada kuartal ketiga meningkat 20% dibandingkan kuartal sebelumnya, dan NAND meningkat 10%.

Bisnis foundry wafer terkait pendapatan dari chip komputasi di bawah HBM—yaitu die dasar. Samsung Electronics memperkirakan bahwa pada kuartal keempat, pendapatan foundry wafer akan tumbuh dua digit baik secara kuartalan maupun tahunan.

Berdasarkan laporan kinerja perusahaan, pada kuartal ketiga, unit bisnis mobile dan jaringan mencatat kerugian operasional sebesar 600 miliar won, dan bisnis finished product masih menghadapi tekanan biaya.

Jadwal produksi massal dan pertumbuhan foundry wafer merupakan rencana perusahaan, bukan kinerja yang telah tercapai. Fokus perlu diarahkan pada sertifikasi pelanggan HBM4E dan pengiriman aktual, serta apakah peningkatan output dapat diterjemahkan ke dalam profitabilitas.