A negociação de capacidade de armazenamento está agendada até 2030! Winbond Electronics inicia antecipadamente o plano de expansão de produção
A Winbond Electronics iniciou antecipadamente o plano de expansão do Módulo B de sua fábrica em Luzhu, Kaohsiung, com previsão de início das obras em 2027 e instalação dos equipamentos em 2029. As negociações de capacidade com clientes já estão agendadas para 2029 até 2030. As instituições acreditam que a demanda por armazenamento impulsionada pela IA continuará por um período bastante longo. Além disso, a Winbond já investiu cerca de 4 bilhões de yuans para estabelecer uma linha de produção de capacitores de silício, cuja produção em massa deverá começar o mais cedo em 2027, sendo considerada o terceiro motor de crescimento além das áreas de lógica e armazenamento.
A demanda por armazenamento impulsionada pela IA continua a se expandir, levando a Winbond Electronics a antecipar sua estratégia — clientes já estão reservando a capacidade de produção para daqui a três anos.
A Winbond Electronics, líder global em armazenamento IDM de nicho, anunciou o início antecipado do plano de expansão da fábrica de Luzhu, em Kaohsiung, Taiwan, consolidando as segunda e terceira fases previamente planejadas para serem desenvolvidas simultaneamente como a fábrica Module B. Segundo o jornal Taiwan Economic Daily, a construção da sala limpa está prevista para começar em 2027, com a instalação dos equipamentos iniciando já no começo de 2029.
De acordo com fontes do setor, a Agentic AI está fomentando uma demanda contínua por maior capacidade de armazenamento e embalagens avançadas, "e essa tendência de crescimento deve continuar por um longo período". Este é o motivo direto da decisão da Winbond Electronics de antecipar o plano Module B. Atualmente, já existem clientes em negociações antecipadas por direitos de capacidade para 2029 e 2030.
Desempenho do trimestre: aumento de volume e preço, margem de lucro recorde
No segundo trimestre, a receita consolidada da Winbond Electronics atingiu 59,843 bilhões de dólares taiwaneses, crescimento trimestral de 56,4% e anual de 184,7%.
O aumento de preços foi o principal motor: o preço do DRAM subiu cerca de 100% no trimestre, enquanto o do Flash aumentou em torno de 43%. A margem bruta subiu para 66,2%, e o lucro líquido por ação (EPS) atingiu 5,40 dólares taiwaneses.
No terceiro trimestre, a tendência de alta continua. Segundo fontes do setor citadas pelo Taiwan Economic Daily, tanto DRAM de nicho quanto SLC NAND seguem com oferta abaixo da demanda, com aumentos trimestrais de preços próximos de 50%; o NOR Flash, impulsionado pelo grande volume de compras de provedores de serviço em nuvem (CSP), registra aumento de cerca de 30% nos preços.
Para o quarto trimestre, a alta de preços deve se desacelerar para entre 2% e 5%, mas fontes do setor avaliam que, beneficiada pelo aumento da capacidade de produção de DRAM e pelo crescimento no volume de vendas, a receita e o lucro da Winbond Electronics devem continuar avançando trimestre a trimestre.
Module B: linha de produtos completamente focada em IA
A estratégia de produtos da Module B da fábrica de Kaohsiung da Winbond Electronics engloba Standard DRAM, CUBE DRAM, Wafer-on-Wafer (WoW) e Si-Cap (capacitor de silício), com suporte para tecnologia de processo DRAM de 14 nm e futuramente 12 nm; o plano também prevê a introdução de equipamentos EUV.
A lógica dessa estratégia é clara: como a IA impulsiona o armazenamento rumo a maior densidade e embalagens mais avançadas, a Winbond Electronics precisa assegurar antecipadamente processos e capacidade, a fim de não ficar atrás do mercado quando a demanda dos clientes se materializar.
A introdução de equipamentos será realizada de forma faseada, baseada em previsões de demanda dos clientes (Forecast) e acordos de longo prazo (LTA), e não de uma só vez em máxima capacidade, para controlar o ritmo dos investimentos de capital.
Si-Cap: a terceira curva de crescimento
O capacitor de silício (Si-Cap) é um destaque à parte nesta estratégia.
Fontes do setor consideram que ele representa a "terceira fonte potencial de crescimento" da Winbond Electronics, além dos segmentos de lógica (Logic) e armazenamento (Memory). A empresa já investiu cerca de 4 bilhões de dólares taiwaneses para construir uma linha de produção dedicada ao Si-Cap.
Atualmente, os produtos em produção atingem densidade de capacitância de cerca de 3.300 nF/mm², enquanto as mais recentes amostras chegam a aproximadamente 5.400 nF/mm², tendo como foco aplicações em embalagens avançadas de IA e gerenciamento de energia em IA. A expectativa é que a produção em massa comece até o fim do primeiro trimestre de 2027.
A lógica do Si-Cap reside no fato de que chips IA exigem altíssima estabilidade de energia; os capacitores de silício podem oferecer desacoplamento de energia de alta densidade no nível de embalagem, sendo essenciais para o avanço das soluções de encapsulamento. A Winbond Electronics está se antecipando para garantir uma posição de destaque nessa nova demanda emergente.
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