Samsung Electronics: produção em massa do sétimo geração do HBM4E começará no primeiro semestre do próximo ano

Samsung Electronics: "Iniciará a produção em massa da sétima geração HBM4E no primeiro semestre do próximo ano, com crescimento de dois dígitos no negócio de fundição de semicondutores"

A receita da Samsung Electronics com HBM4 no terceiro trimestre aumentou para mais de três vezes em relação ao trimestre anterior. O próximo ponto de observação é se a expansão dos produtos atuais pode continuar até a produção em massa do HBM4E em 2027 e o crescimento do negócio de fundição de semicondutores.

HBM é uma memória de alta largura de banda usada em aceleradores de IA. A Samsung Electronics afirmou que já enviou amostras de HBM4E de 12 camadas aos clientes em maio deste ano e agora apresentou o plano de iniciar a produção em massa no primeiro semestre de 2027 e aumentar o volume no segundo semestre. O preço médio do DRAM no terceiro trimestre aumentou 20% em relação ao trimestre anterior e o NAND subiu 10%.

O negócio de fundição de semicondutores está relacionado à receita proveniente dos chips de processamento localizados abaixo do HBM — os chamados dies de base. A Samsung Electronics espera que a receita da fundição de semicondutores no quarto trimestre registre crescimento de dois dígitos tanto em relação ao trimestre anterior quanto ao ano anterior. De acordo com o relatório de resultados da empresa, o negócio móvel e de redes registrou um prejuízo operacional de 600 bilhões de wons no terceiro trimestre, e o segmento de produtos finais ainda enfrenta pressão de custos.

O cronograma de produção em massa e o crescimento da fundição de semicondutores fazem parte do plano da empresa e ainda não se concretizaram em resultados alcançados. É necessário acompanhar a certificação dos clientes do HBM4E, as entregas efetivas e se o aumento de produção poderá ser convertido em lucratividade.