Завод Samsung Taylor другого покоління буде виробляти базові чіпи HBM для AMD та Nvidia

Згідно з повідомленням південнокорейського видання «Maeil Business Newspaper» у вівторок, Samsung Electronics використає свій другий завод з виробництва напівпровідників, що розташований у Тайлері, Техас, США, для випуску базових пластин високошвидкісної пам’яті (High Bandwidth Memory, HBM) для AMD і NVIDIA. За повідомленням, будівництво заводу офіційно стартує цього місяця, при цьому вся виробнича потужність вже зарезервована за замовленнями, більшість з яких надходить від AMD. На заводі буде застосовано передову 2-нанометрову технологію виробництва чіпів, а площа об’єкта складе близько 2,7 мільйона квадратних футів, що приблизно у 1,5 раза перевищує розміри першого заводу Samsung. Перший завод вже уклав контракт із Tesla. За повідомленням, очікується, що інсталяція обладнання на заводі почнеться в лютому 2029 року, а масове виробництво стартує в 2030 році.