AI-Speicherbedarf löst Expansionswelle aus! Kioxia plant den Bau einer dritten Wafer-Fabrik in der Präfektur Iwate, Japan

Laut Golden Ten Data hat das APP von Zhihui Finance erfahren, nach Angaben von Insiderquellen baut der japanische Speicherchip-Gigant Kioxia derzeit eine neue Wafer-Fabrik am Produktionsstandort im Norden der Präfektur Iwate, um die Produktionskapazität zu erhöhen und der anhaltend starken Nachfrage nach Speicher im Zusammenhang mit Künstlicher Intelligenz (AI) gerecht zu werden. Ein Insider gab an, dass Kioxia plant, die Pläne zur Kapazitätserweiterung am Donnerstagabend bekannt zu geben.

Der in Tokio ansässige Chiphersteller plant, am Standort in Iwate High-End-NAND-Chips für Rechenzentren zu fertigen, während das andere bedeutende Werk in Yokkaichi, Präfektur Mie, sich vor allem auf Chips für Verbrauchsprodukte wie Smartphones konzentrieren wird.

Insiderquellen berichten, dass diese neue Fabrik die dritte am Standort sein wird und primär die neueste Generation hochdichter 3D-Flash-Speicherchips des Unternehmens herstellt, um die massiven Workloads der AI-Dienste zu bewältigen. Bereits im vergangenen Monat hat Kioxia mit der Lieferung von Mustern seines zehnten BiCS FLASH 3D-Flash-Speicherchips an große Betreiber von AI-Rechenzentren begonnen. Der auf einer 332-Layer-Stack-Architektur basierende 1Tb TLC (Triple-Level-Cell) Flash-Chip wird exklusiv im Fab2-Wafer-Werk im Norden der Präfektur Iwate produziert.

Die Einführung des BiCS10-Flash-Speicherchips stellt einen bedeutenden Schritt auf der technologischen Roadmap von Kioxia dar. Im Vergleich zur achten Generation BiCS FLASH hat die zehnte Generation mehrere wichtige Durchbrüche erzielt: Die Zahl der gestapelten Schichten sprang von 218 auf 332, die Speicherdichte liegt bei über 29Gb/mm², was gegenüber BiCS8 eine Steigerung von 59% bedeutet. Die I/O-Schnittstelle unterstützt den Toggle DDR6.0 Standard mit Datenraten bis zu 4800MT/s – ein Plus von 33% gegenüber der achten Generation. Auch der Energieverbrauch wurde deutlich optimiert: Die Ausgangsleistung sank um 34%, die Leseeffizienz stieg um 30%, der Eingangsverbrauch ging um 10% zurück, und die Schreibeffizienz wurde um 18% verbessert.

Bei der technischen Architektur wurde BiCS10 vollständig mit den beiden zentralen Basistechnologien versehen, die seit der achten Generation eingesetzt werden: CMOS Direct Bonding to Array (CBA) und Pitch Gate Selection (OPS). Die CBA-Architektur ermöglicht es, den Speicherarrays-Wafer und den Logik-CMOS-Wafer separat herzustellen und anschließend zu verbinden, wodurch die bisherigen Verdrahtungslimits konventioneller monolithischer Wafer überwunden werden und die maximale Stapelungszahl deutlich steigt. Die Kontinuität dieses erprobten Fertigungsprozesses bedeutet, dass keine neue Produktionslinie eingerichtet werden muss und die Ramp-up-Zeit für die Serienfertigung neuer Produkte deutlich verkürzt wird. Laut Kioxia werden diese neuen Produkte hauptsächlich in Enterprise- und Data-Center-SSDs integriert, um den steigenden und dringenden Bedarf im AI-Speichermarkt an hohe Leistung, große Kapazität und niedrigen Energieverbrauch zu bedienen.

Die Investition wird gemeinsam mit dem Fertigungspartner SanDisk (SNDK.US) umgesetzt. Ein Insider fügte hinzu, dass Kioxia und SanDisk von der japanischen Regierung Subventionen beantragen werden. In den letzten Jahren hat Japan Unternehmen wie TSMC (TSM.US), Sony (SONY.US) und Micron Technology (MU.US), die ihre Chip-Produktionskapazität im Land ausbauen, finanziell unterstützt. Der CEO von Kioxia, Hiroshi Ohta, und der CEO von SanDisk, David Goeckeler, planen, am Donnerstagnachmittag Premierminister Sanae Takaichi zu besuchen.

Kioxia sieht sich steigendem Druck zur Kapazitätserweiterung ausgesetzt, um den durch langfristige Verträge über Jahre aufrechterhaltenen Bedarf zu erfüllen. Die Ankündigung erfolgt unmittelbar nach den umfangreichen Expansionplänen des südkoreanischen Wettbewerbers und dem kontinuierlichen Marktanteilszuwachs des chinesischen Speicherherstellers Yangtze Memory Technologies (YMTC). Nach den neuesten Daten des Marktforschungsunternehmens Counterpoint Research expandiert der chinesische NAND-Gigant Yangtze Memory Technologies schnell im weltweiten NAND-Flash-Markt und wird im zweiten Quartal 2026 gemessen am Versandvolumen auf Platz drei weltweit aufsteigen – direkt hinter den beiden südkoreanischen Speicherchip-Giganten Samsung Electronics und SK Hynix.