Samsung direciona metade da capacidade de produção de HBM para HBM4, produção de HBM3E de 8 camadas é suspensa

A Samsung Electronics está reposicionando estrategicamente sua capacidade de produção de memória de alta largura de banda (HBM), buscando mudar a situação em que ficou atrás da SK hynix na competição de HBM ao apostar fortemente em sua próxima geração de produtos.

De acordo com a mídia sul-coreana, a Samsung Electronics recentemente alocou metade de seus cerca de 150 mil wafers de DRAM HBM processados mensalmente — aproximadamente 75 mil wafers — para a sexta geração HBM4, enquanto o restante da capacidade está destinado ao HBM3E de 12 camadas. Com a demanda relativamente fraca, o HBM3E de 8 camadas teve sua produção temporariamente interrompida, com toda essa capacidade sendo transferida para o HBM4. Garantindo a entrega dos pedidos existentes de HBM3E, a Samsung de fato concentrou toda a sua produção incremental na linha HBM4.

Essa reorganização de capacidade possui uma lógica competitiva clara. Na geração HBM3E, a Samsung perdeu um grande número de pedidos da Nvidia devido ao atraso na certificação de qualidade, enquanto a SK hynix assegurou a liderança na oferta graças à sua vantagem de pioneirismo. Em fevereiro deste ano, a Samsung concluiu a produção em massa do HBM4 globalmente pela primeira vez, atingindo cerca de US$ 1 bilhão (aproximadamente 1,54 trilhões de won sul-coreanos) em receita nos quatro meses seguintes, com expectativa de fechar o ano com US$ 10 bilhões em faturamento.

A demanda por HBM4 também continua a crescer. Além da necessidade para a próxima geração de aceleradores de IA da Nvidia, Rubin, empresas de computação em nuvem como Google, Amazon e Microsoft estão acelerando o desenvolvimento de chips personalizados de IA, impulsionando ainda mais a demanda potencial por HBM4 e ampliando o espaço de mercado para a expansão da Samsung nessa nova direção.

Os contratempos da Samsung no ciclo do HBM3E são a razão direta para essa mudança estratégica. A SK hynix concluiu antecipadamente a certificação de qualidade da Nvidia e garantiu participação significativa na oferta, enquanto a Samsung, prejudicada pelo atraso na certificação, não conseguiu conquistar pedidos suficientes. Em vez de tentar acompanhar a SK hynix no HBM3E, a Samsung optou por concentrar seus esforços no HBM4, onde já possui vantagem de pioneirismo — essa é a lógica estratégica atual da empresa.

Nos cenários de aplicação downstream, o HBM3E está principalmente presente na geração corrente de aceleradores de IA Nvidia Blackwell, enquanto o HBM4 entrará na próxima geração, Rubin. Ao manter o fornecimento atual para os clientes de HBM3E, a Samsung concentrou toda a produção incremental no HBM4.

Os primeiros resultados da comercialização do HBM4 pela Samsung comprovam o potencial dessa escolha estratégica. Após concluir a produção em massa do HBM4 globalmente em fevereiro deste ano, a Samsung alcançou cerca de US$ 1 bilhão em receita em apenas quatro meses, projetando US$ 10 bilhões para o ano todo.

Outro aspecto importante que impulsiona o investimento da Samsung no HBM4 é o rápido crescimento do mercado de chips personalizados (ASIC). Empresas de computação em nuvem como Google, Amazon e Microsoft estão desenvolvendo aceleradores de IA próprios para reduzir a dependência dos GPUs Nvidia, impulsionando rapidamente a demanda por produtos HBM correspondentes.

Análises do setor indicam que, a partir da geração HBM4, os chips base (base die) personalizados para as necessidades de diferentes clientes e as soluções avançadas de embalagem se tornarão variáveis competitivas ainda mais críticas. Com capacidades integradas em memória, foundry e embalagens avançadas, a Samsung possui vantagem diferenciada nesse novo cenário competitivo.

Em comparação ao movimento ousado da Samsung, a SK hynix se encontra numa posição mais confortável no mercado de HBM, não necessitando uma transição apressada para a produção em massa do HBM4. A empresa consolidou sua posição dominante no mercado de HBM3E, e deve continuar como a principal fornecedora da Nvidia na era do HBM4.

Durante sua visita à Coreia do Sul neste mês, o CEO da Nvidia, Jensen Huang, declarou publicamente que a SK hynix é seu principal fornecedor de HBM. Um profissional do setor de semicondutores comentou: "Não é preciso pressa. Com a chegada da produção em massa dos aceleradores Rubin, as receitas de HBM4 da SK hynix aumentarão naturalmente." Isso significa que a SK hynix pode transferir gradualmente seu foco para o HBM4 em seu próprio ritmo, enquanto mantém a entrega estável dos pedidos existentes de HBM3E, tornando sua transição global muito mais tranquila do que a da Samsung.

Segundo previsões da TrendForce e do banco de investimentos Bernstein, a participação de mercado da Samsung Electronics em HBM deve subir de 27% em 2025 para 37% em 2026, enquanto a participação da SK hynix cairá de 56% para 43%. Além disso, algumas análises preveem que a Samsung pode superar a SK hynix em participação de mercado de HBM já em 2027.

Com o avanço do ramp-up de capacidade do HBM4 e a expansão contínua do mercado de ASICs, a competição entre Samsung e SK hynix no segmento de HBM ficará ainda mais acirrada. O rumo final dessa disputa de gerações dependerá, em grande parte, do ritmo de expansão da capacidade do HBM4 e do grau de compatibilidade com a demanda dos chips de IA de última geração.