Goldman Sachs значительно повысил прогноз мировых расходов на оборудование для фабрик по производству микросхем: основными драйверами становятся производство памяти и передовые производственные мощности
В последнем отчёте Goldman Sachs значительно повысил прогноз глобальных расходов на оборудование для фабрик по производству полупроводников в 2026-2028 годах до 150 млрд, 218 млрд и 281 млрд долларов соответственно, ожидая темпы роста гораздо выше прежних оценок. Расширение производства TSMC по технологии N2, ставки Samsung и SK Hynix на HBM4, а также обязательство проектов SpaceX и Tesla Terafab на сумму 16,8 млрд долларов — все эти двигатели оказывают синергетическое влияние, и цикл повышенных капитальных вложений в полупроводниковую отрасль, вероятно, продлится вплоть до 2028 года.
Goldman Sachs существенно повысил прогноз мировых расходов на оборудование для фабрик пластин (WFE) на ближайшие три года, увеличив ожидаемые масштабы рынка в 2026–2028 годах соответственно до 150 млрд, 218 млрд и 281 млрд долларов США. Этот рост значительно превзошёл предыдущие ожидания и отражает ускоряющийся цикл капитальных затрат в полупроводниковой отрасли.
По данным Zhui Feng Trading Desk, в аналитическом отчёте Goldman Sachs, опубликованном 23 августа 2026 года, отмечается, что данные по капитальным затратам в полупроводниковой отрасли за сезон отчётности второго квартала оказались в целом выше прогнозов, а поставщики оборудования озвучили ещё более оптимистичные перспективы, что вместе привело к значительной корректировке прогноза. В частности, ожидаемый годовой рост WFE в 2026 году был увеличен с предыдущих 32% до 36%, в 2027 году — с 32% до 45%, а в 2028 году — с 12% до 29%.
Goldman Sachs сохраняет общий бычий взгляд на сектор оборудования для полупроводников. Текущее повышение прогноза имеет прямое значение для инвесторов в данный сегмент, поскольку более высокие ожидания по капитальным расходам означают продолжающееся улучшение видимости заказов у производителей оборудования, что может продлить фазу благоприятного рыночного цикла до 2028 года.
Контрактное производство: расширение мощностей TSMC стимулирует рост спроса на передовое оборудование
В докладе прогноз по WFE для контрактного производства на 2026–2028 годы был повышен до 58 млрд, 84 млрд и 109 млрд долларов США с соответствующими годовыми темпами роста 45%, 45% и 30%, что значительно выше предыдущих оценок на уровне 30%, 30% и 16%.
Основным драйвером выступает TSMC. В этом обновлении годовой прогноз капитальных затрат TSMC на 2026–2028 годы повышен на 8 млрд долларов для каждого года, поскольку расходы на оборудование для процесса N2 оказались выше ожиданий, а спрос со стороны клиентов — стабильно высокий. В отчёте отмечается, что по мере того, как процесс N2 в ближайшие кварталы будет выходить на этап серийного производства, динамика WFE в контрактном производстве останется мощной, а передовые логические процессы станут ключевым источником роста.
DRAM: переход к HBM4 и расширение мощностей продолжают стимулировать рост расходов
Корректировка прогнозов в сегменте DRAM также оказалась значительной. Прогноз по WFE для DRAM на 2026–2028 годы был увеличен до 48 млрд, 72 млрд и 97 млрд долларов США, с годовыми темпами роста 50%, 50% и 35%, что превысило предыдущие оценки в 45%, 45% и 10%. Особенно заметно увеличится темп роста в 2028 году.
Аналитик Giuni Lee повысила прогноз средних капитальных расходов на DRAM у Samsung Electronics на 22% за 2026–2028 годы, а у SK Hynix — на 19%. Несмотря на значительный общий рост расходов в отрасли, предложение DRAM продолжит оставаться ограниченным до 2028 года. Ключевой логикой являются переход на новые технологические узлы и внедрение HBM4.
NAND: в ближайшее время акцент на модернизации, ограниченное предложение сохранится до 2027 года
В отличие от DRAM и контрактного производства, прогноз для сегмента NAND был скорректирован более умеренно, а направления изменений разошлись. Прогноз по WFE для NAND на 2026 год незначительно снижен — с 11 млрд долларов до 11 млрд (практически без изменений), на 2027 год — с 17 млрд до 15 млрд, а на 2028 год — повышен с 20 млрд до 22 млрд долларов.
В ближайшее время новые инвестиции в NAND будут связаны преимущественно с модернизацией, а не со значительным увеличением новых мощностей, что позволит сохранить ограниченность предложения до 2027 года. Рост расходов в 2028 году отражает ожидания по расширению мощностей на более длительном горизонте.
Логика и другое: восстановление Intel и проект Terafab приводят к неожиданному приросту
Корректировка прогнозов по логическим и другим продуктам оказалась особо заметной в средне- и долгосрочной перспективе. Прогнозы по WFE в сегменте Logic/Other на 2026–2028 годы были увеличены до 34 млрд, 47 млрд и 53 млрд долларов. Прогноз на 2027 год вырос на 34% по сравнению с прежней оценкой в 35 млрд долларов, а на 2028 год — на 43% по сравнению с предварительными 37 млрд долларов.
Два основных фактора вызвали это повышение: во-первых, спрос со стороны Intel превзошёл ожидания, что привело к пересмотру капитальных расходов вверх; во-вторых, происходит восстановление сегмента поздних технологических этапов и рынка аналоговых микросхем. Помимо этого, SpaceX и Tesla совместно обязались вложить около 16,8 млрд долларов на начальном этапе проекта Terafab, и эти расходы уже учтены в прогнозе по Logic/Other, что стало важным источником роста в данной подкатегории на среднесрочную перспективу.
Дисклеймер: содержание этой статьи отражает исключительно мнение автора и не представляет платформу в каком-либо качестве. Данная статья не должна являться ориентиром при принятии инвестиционных решений.
Вам также может понравиться
Индекс CAPE на американском фондовом рынке приближается к пиковым значениям эпохи интернет-пузыря: покупать на максимумах или ждать коррекции? Исторические данные дают ответ.
Ключевой показатель оценки подает предупреждающий сигнал.

Побочные эффекты "квази-QE" Банка Южной Кореи становятся все более очевидными! Хедж-фонды ускоряют ставки на ослабление доллара, опасаясь более масштабной программы скупки облигаций
Хедж-фонды увеличили короткие позиции по доллару до выхода новых фискальных планов от Министерства финансов США.

Samsung разрабатывает «трёхэтапную HBM-дорожную карту»: на пути к настоящему 3D ZHBM, где DRAM напрямую укладывается на вычислительный чип
На конференции Hot Chips компания Samsung представила трехэтапную дорожную карту эволюции HBM, в которой конечной целью является архитектура "zHBM", предусматривающая вертикальное расположение DRAM поверх вычислительного чипа. По словам Samsung, по сравнению с HBM4E, технология zHBM обеспечивает снижение энергопотребления на 70%, увеличение пропускной способности на 230%, а также дополнительно освобождает для GPU 100 Вт термального бюджета.
