Bitget App
Cмартторгівля для кожного
Купити криптуРинкиТоргуватиФ'ючерсиEarnAIЦентрБільше
Goldman Sachs значно підвищив глобальні витрати на обладнання для фабрик напівпровідників: пам'ять і сучасний аутсорсинг стали основними рушіями

Goldman Sachs значно підвищив глобальні витрати на обладнання для фабрик напівпровідників: пам'ять і сучасний аутсорсинг стали основними рушіями

华尔街见闻华尔街见闻2026/08/24 03:56
Переглянути оригінал
-:华尔街见闻

Останній звіт Goldman Sachs суттєво підвищив прогноз світових витрат на обладнання для фабрик напівпровідників на 2026-2028 роки до 150 млрд, 218 млрд і 281 млрд доларів відповідно, а очікувані темпи зростання значно перевищують попередні оцінки. Розширення виробництва процесу TSMC N2, ставка Samsung та SK Hynix на HBM4, обіцянка SpaceX і Tesla Terafab щодо 16,8 млрд доларів — ці фактори взаємно підсилюють один одного, і цикл високої капітальної активності у напівпровідниковій галузі має всі шанси тривати до 2028 року.

Goldman Sachs значно підвищив прогнози щодо світових витрат на обладнання для фабрик з виробництва пластин (WFE) на найближчі три роки, збільшивши очікуваний обсяг ринку у 2026–2028 роках відповідно до 150 млрд, 218 млрд та 281 млрд доларів США, що значно перевищує попередні прогнози, відображаючи прискорення циклу капітальних витрат у напівпровідниковій галузі.

Згідно даних Trading Wind, у дослідженні Goldman Sachs, опублікованому 23 серпня 2026 року, дані щодо капітальних витрат на напівпровідники, розкриті під час сезону квартальних звітів, переважно перевершили очікування; до того ж, постачальники обладнання зробили більш оптимістичні прогнози щодо майбутнього, що разом призвело до значної корекції цього раунду прогнозів. Зокрема, очікуване річне зростання WFE у 2026 році підняте з попередніх 32% до 36%, у 2027 році з 32% до 45%, а в 2028 році – із 12% до 29%.

Goldman Sachs зберігає позитивну позицію щодо сектору обладнання для напівпровідників; підвищення прогнозів безпосередньо спрямоване на інвесторів цього сектору, адже вищі очікування щодо капітальних витрат означають покращення видимості замовлень для виробників обладнання, а цикл сприятливої кон’юнктури галузі, ймовірно, триватиме до 2028 року.

Контрактне виробництво: Розширення потужностей TSMC підсилює попит на передове обладнання

Прогноз WFE для контрактного виробництва у 2026–2028 роках підвищено відповідно до 58 млрд, 84 млрд та 109 млрд доларів США, що відповідає річному зростанню 45%, 45% та 30% – всі ці показники значно перевищують попередні прогнози у 30%, 30% та 16%.

Головний рушій — TSMC. У цьому оновленні прогнози капітальних витрат TSMC на 2026–2028 роки підвищено на 8 млрд доларів щороку, оскільки інвестиції в обладнання для N2-процесу виявились інтенсивнішими, ніж очікувалось, а попит залишаєтся стійко високим. У звіті зазначено, що із запуском масового виробництва N2-процесу протягом найближчих кварталів, динаміка WFE в секторі контрактного виробництва залишатиметься сильною, а передові логічні процеси стануть основним рушієм.

DRAM: Міграція до HBM4 і розширення потужностей стимулюють подальше зростання витрат

Сектор DRAM також демонструє значне підвищення прогнозів. Прогнози WFE для DRAM у 2026–2028 роках підвищено відповідно до 48 млрд, 72 млрд та 97 млрд доларів США, їх річне зростання становить 50%, 50% та 35%, що перевищує попередні прогнози в 45%, 45% та 10% — особливо помітне підвищення очікуваного зростання у 2028 році.

Аналітик Giuni Lee підвищив середній прогноз капітальних витрат на DRAM від Samsung Electronics на 22%, від SK Hynix — на 19%. Попри значне збільшення загальних витрат у галузі, пропозиція DRAM залишатиметься обмеженою, обмеження потужностей ймовірно збережеться до 2028 року. Основною логікою прогнозу є міграція до нових процесів та модернізація до HBM4.

NAND: Нещодавній акцент на модернізації, обмежена пропозиція триватиме до 2027 року

У порівнянні з DRAM та контрактними виробництвами, зміни прогнозів у секторі NAND помірні й мають різну спрямованість. Прогноз WFE для NAND у 2026 році трохи зниженій з 11 млрд доларів до 11 млрд доларів (фактично без змін), у 2027 році — знижений з 17 млрд до 15 млрд доларів, а у 2028 році — піднятий з 20 млрд до 22 млрд доларів.

Збільшення витрат у NAND найближчим часом буде спрямовано переважно на модернізацію, а не на масштабне розширення виробничих потужностей, така стратегія підтримає збереження обмеженої пропозиції до 2027 року. Прискорене зростання витрат у 2028 році відображає очікування подальшого розширення виробництва в довгостроковій перспективі.

Логічні та інші: Відновлення Intel і проект Terafab забезпечують додатковий приріст понад очікування

Прогноз WFE для сектору логічних і інших напівпровідників значно підвищено у середньо- та довгостроковій перспективі. Прогноз для Logic/Other WFE у 2026–2028 роках підвищений відповідно до 34 млрд, 47 млрд та 53 млрд доларів США; у 2027 році прогноз зріс на 34% порівняно з попередніми 35 млрд, а у 2028 році — на 43% більше попередніх 37 млрд доларів.

Два ключові чинники вплинули на підвищення: по-перше, попит Intel перевершив очікування, що стимулювало перегляд прогнозів капітальних витрат; по-друге, кінцеві процеси та ринок аналогових чіпів починають відновлюватись. Крім того, SpaceX та Tesla спільно законтрактували близько 16,8 млрд доларів на початковий етап проекту Terafab, ці витрати вже включені у прогнози Logic/Other і становлять важливий джерело приросту для даного напрямку у середньостроковій перспективі.

0
0

Відмова від відповідальності: зміст цієї статті відображає виключно думку автора і не представляє платформу в будь-якій якості. Ця стаття не повинна бути орієнтиром під час прийняття інвестиційних рішень.

PoolX: Заробляйте за стейкінг
До понад 10% APR. Що більше монет у стейкінгу, то більший ваш заробіток.
Надіслати токени у стейкінг!

Вас також може зацікавити

Samsung визначила «трикрокову дорожню карту HBM»: досягнення справжнього 3D ZHBM із прямим стекуванням DRAM на обчислювальному чипі

Samsung на конференції Hot Chips представила трьохетапну дорожню карту розвитку HBM, спрямовану на архітектуру “zHBM”, в якій DRAM вертикально розташовується над обчислювальним чипом. Samsung заявляє, що zHBM у порівнянні з HBM4E дозволяє знизити енергоспоживання на 70%, збільшити пропускну здатність на 230% і додатково забезпечити GPU 100 Вт теплового запасу.

华尔街见闻2026/08/24 03:01