SK hynix (SKHY.US) вирушає до Японії у пошуках наступної виробничої фортеці, Уолл-стріт продовжує робити ставки на "дефіцит зберігання для AI"

Додаток Zhihong Finance APP повідомляє, що одна з найбільших світових виробників мікросхем пам’яті SK Hynix (SKHY.US) оцінює можливість створення спільного заводу із виробництва пластин пам’яті (Memory Fab) у Японії і визначає достатність та низьку вартість електроенергії і водних ресурсів як ключові критерії вибору місця. Потенційний японський проект доповнить програму розширення у Південній Кореї на 54 трильйони корейських вонів та створення сучасного пакувального центру у штаті Індіана (США), одночасно використовуючи переваги Японії у сфері високотехнологічного обладнання, матеріалів для виробництва напівпровідників, великих клієнтів, державних субсидій та ланцюга постачання NAND-флеш пам’яті, якою керує Kioxia. Це крок SK Hynix, спрямований на оновлення глобальної виробничої потужності через гострий дефіцит мікросхем пам’яті та розумний розподіл потужностей з урахуванням витрат і геополітичних ризиків, а не сигнал про надлишок пропозиції чи ослаблення попиту на базову AI-обчислювальну потужність.

Позитивні тенденції на ринку мікросхем пам’яті й досі визначаються інвестиціями в інфраструктуру AI-обчислювальної потужності, а ланцюг індустрії AI продовжує генерувати позитивні сигнали з боку попиту на AI-обчислення. У липні експорт Південної Кореї виріс на 62.8% у річному вимірі до 98.89 мільярдів доларів, причому експорт напівпровідників, критично важливий для економіки країни, підскочив на 178.8% до 41.01 мільярду доларів; за даними опитування економістів, у серпні експорт Південної Кореї значно зросте на 62.6% у порівнянні з високою базою, але офіційні дані будуть опубліковані лише 1 вересня.

Фактична виробнича потужність AI-напівпровідників і замовлення здаються ще більш обмеженими: CEO SK Group Чве Тайвон повідомив, що клієнти вимагають, аби обсяг поставок AI-напівпровідників у 2027 році зріс на 60%—100% у порівнянні з 2026-м, проте нові потужності обмежені і можуть зрости максимум на 50%; CEO SK Hynix Куок Лу Чжон прогнозує, що у 2027 році галузь пам’яті може зіткнутися з найсерйознішим дефіцитом мікросхем пам’яті в історії, і навіть після 2030 року попит клієнтів може залишатися вищим за можливості компанії.

SK Hynix розглядає можливість спільного будівництва заводу з виробництва чіпів пам’яті у Японії для розширення поставок під впливом AI-буму

SK Hynix досліджує можливість створення спільного підприємства у Японії для виробництва мікросхем пам’яті; це один із варіантів, які компанія розглядає для задоволення постійно зростаючого попиту на AI-напівпровідники, а також для контролю виробничих витрат.

Голова SK Group Чве Тайвон, під час інтерв’ю на полях засідання членів Торгово-промислових палат Південної Кореї та Японії у Сендаї, повідомив, що цей гігант на ринку DRAM і NAND розглядає кілька можливих місць для спільного великого японського заводу з виробництва чіпів пам’яті.

AI-бум зробив SK Hynix, штаб-квартира якого розташована у місті Ічхон, найбільш вигідним активом SK Group, під управлінням Чве Тайвона; її продукція допомагає Nvidia і найбільшим розробникам дата-центрів забезпечувати базову AI-обчислювальну потужність. Минулого тижня SK Hynix організувала церемонію початку будівництва великого центру сучасного пакування мікросхем у штаті Індіана (США), а компанія також досліджує можливості подальшого розширення міжнародного бізнесу.

“Ми швидко оглядаємо різні місця по всій Японії,” сказав Чве Тайвон журналістам. “Будь-яке місце, де є хороші умови для електроенергії і води, підходить.” На запитання щодо потенційних партнерів чи конкретного розташування всередині Японії він відмовився уточнювати подробиці. Бізнес SK Group охоплює багато сфер – від енергетики та телекомунікацій до чіпів, а також відповідає за загальний розподіл капіталу для крупних інвестицій групи.

Для задоволення значного попиту AI на зберігання даних, а також щоб реагувати на спроби США стримати технологічні амбіції Китаю, SK Hynix шукає потенційні майданчики для виробництва і пакування чіпів по всьому світу. Компанія планує інвестувати 54 трильйони корейських вонів (близько 39 мільярдів доларів) у розширення виробничих потужностей у Південній Кореї, і паралельно будує великий сучасний центр пакування чіпів пам’яті у West Lafayette, штат Індіана.

Пошук місця в Японії є частиною ширшої стратегії SK Hynix, спрямованої на поглиблення співпраці з японськими клієнтами та постачальниками. Компанія вже має значну непряму частку у Kioxia – глобальному лідері виробництва NAND, штаб-квартира якого знаходиться у Токіо; CEO Куок Лу Чжон минулого тижня заявив, що компанія “обережно досліджує, як спільно з клієнтами і постачальниками розвивати ринок NAND-флеш мікросхем пам’яті.”

Як і у випадку з High Bandwidth Memory (HBM), попит на NAND стрімко зростає; глобальні гіганти хмарних обчислень як Meta Platforms і Amazon, а також великі компанії, що останні роки інвестують у AI-дата центри, змагаються за масштабне майбутнє збільшення об’ємів NAND, і прагнуть отримати продуктивність, котра перевершує традиційні жорсткі диски HDD.

Один із конкурентів SK Hynix – американська Micron Technology – має великий завод у Хіросімі, Японія. У Японії зосереджено багато постачальників SK Hynix – від приватної Namics до гіганта обладнання Tokyo Electron, а також найбільших клієнтів, таких як Sony Group та Nintendo. Японський уряд вже демонструє готовність забезпечити значні субсидії для проектів із розширення потужностей міжнародними виробниками чіпів, такими як TSMC.

“Зараз саме час для Південної Кореї та Японії створити економічний круг,” сказав Чве Тайвон, який також очолює Корейську Торгово-промислову палату, на заході присвяченому питанням скорочення робочої сили обох країн, напередодні щорічного засідання президентів Торгово-промислових палат Кореї та Японії.

AI поглинає мікросхеми пам’яті, HBM використовує ще більше пластин! Бичачий тренд SK Hynix не зупиняється

Станом на початок азійської торгової сесії у понеділок, акції SK Hynix на корейському ринку впали на 1,45% і тримаються біля позначки 1,63 мільйона вонів за акцію. У нічній американській сесії у понеділок ADR SK Hynix (SKHY.US) коштував близько 157,8 доларів.

На Wall Street в цілому зберігається оптимізм щодо суперциклу AI-мікросхем пам’яті, але гнучкість цін акцій розташовується так: “лідерство SK Hynix у HBM — чисто memory stock Micron на NASDAQ — відновлювальна гнучкість Samsung”. Goldman Sachs ставить SK Hynix цільову ціну 3,5 мільйона вонів, Citi — 3,1 мільйона, Morgan Stanley — 2,6 мільйона.

Інвестиційна логіка трьох головних гравців на ринку пам’яті дещо відрізняється: SK Hynix — найбільш виражене лідерство у HBM, найбільша чутливість до ціни на AI memory, плюс план викупу і ануляції на 40 трильйонів вонів; Micron — найвища ліквідність memory stock у доларах; Samsung — ставка на масштаб і гнучкість завдяки доганянню у HBM.

Великі тренувальні набори AI, ваги моделей, чекпойнти, векторні бази даних, RAG корпуси, мультимодальні дані, журнали і результати інференції потребують тривалого зберігання у великих сховищах. Під час тренування масивні дані постійно надходять з object storage і локальних NVMe SSD до GPU-кластерів; у період inference ще більше створюється KV Cache, довгих контекстів, агенських станів та даних для retrieval.

HBM відповідає за найвищу пропускну здатність (“hot data layer”), корпоративний високопродуктивний DRAM — за оперативну пам’ять системи, а корпоративний NAND SSD — за набагато більший за HBM об’єм і більш доступний “теплий та постійний шар даних”. Таким чином, NAND не замінює HBM, а разом з HBM і DRAM розширює storage рівень AI-серверів.

В епоху AI потрібні не лише обчислювальні моделі, але і постійне переміщення, зберігання та швидкий доступ до величезної кількості даних про стани. HBM і DRAM знаходяться біля GPU і оперують найвищою пропускною здатністю, але ваги моделей, датасети для тренування, чекпойнти, векторні бази даних, RAG knowledge base, журнали inference, довготривала пам’ять агентів і частина KV cache не можуть постійно залишатися у дорогому і обмеженому HBM; корпоративний NVMe SSD тому стає високопродуктивним persistent layer між HBM/DRAM і HDD/object storage.

Відома дослідницька компанія TrendForce у своєму звіті зазначає, що очікується загальне підвищення контрактної ціни на server DRAM у 2026 році на приблизно 270%, а ціна на корпоративні SSD — на 235%; в 2027 році ціна на HBM може вирости ще на 70%–140%. У третьому кварталі 2026 року контрактна ціна на DRAM для дата-центрів (server grade) очікується, що зросте на 13%–18% у порівнянні з високою базою другого кварталу, а у 2027 році пропозиція RDIMM bit зросте лише на 15%–20%, суттєво відстаючи від загального попиту на server DRAM.

Останні дані щодо динаміки попиту по всій індустрії пам’яті та AI-обчислювальної потужності підтверджують, що експансія потреб у мікросхемах пам’яті під впливом AI перекидається з HBM/DRAM на NAND, а масові інферентні AI-навантаження стають основним драйвером зміни структури попиту на NAND.

Безпрецедентний вибуховий попит на пам’ять, що стимулюється стрімким зростанням AI-обчислювальної потужності, надскладні виробничі та пакувальні процеси для HBM, а також постійно недостатня еластичність загальної пропозиції DRAM/NAND разом запускають “суперциклічний дефіцит” у сегменті мікросхем пам’яті для AI-обчислювальної потужності.