Samsung pourrait développer HBM5 en utilisant un procédé de fabrication de 2 nm.

格隆汇2026/03/18 01:06

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格隆汇3月18日｜Selon le journal Sci-Tech Innovation Board Daily, Samsung Electronics a confirmé qu'il développe actuellement la huitième génération de mémoire à large bande passante (HBM5), dont les puces de base utilisent un procédé de fabrication en 2 nanomètres. Pour la neuvième génération HBM5E, l'entreprise prévoit d'appliquer à l'avance la DRAM basée sur le procédé 1D (septième génération, niveau 10 nanomètres) sur les puces principales.

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