La demande de stockage pour l’IA s’intensifie : Nvidia CMX pourrait consommer plus de 100 millions de To de NAND l’année prochaine, Samsung a déjà commencé la livraison

La demande en NAND flash pour les serveurs AI de Nvidia est en pleine explosion, et Samsung Electronics, grâce à son avantage en capacité, transforme rapidement cette tendance en opportunité stratégique.

Selon le Journal économique de Séoul du 20 juillet, Samsung Electronics a lancé la production de masse de la dixième génération de V-NAND (V10) et a officiellement commencé à fournir Nvidia. Parallèlement, environ 60% de la capacité totale de production de V-NAND est allouée à la ligne de production de la neuvième génération (V9) afin de répondre à la demande de Nvidia pour ses nouveaux dispositifs de stockage "Context Memory Storage" (CMX). Les experts prévoient que la capacité NAND requise pour CMX passera de 35 millions de TB cette année à plus de 100 millions de TB l'année prochaine.

Cette vague de demande influence profondément la structure de l'offre sur le marché du NAND. L'engagement massif de Nvidia sur le NAND signifie que l'offre de puces de stockage disponible pour les autres entreprises et consommateurs va considérablement se réduire, entraînant une pression haussière sur les prix du marché.

Dans le même temps, le président de Samsung Electronics, Lee Jae-yong, devrait rencontrer prochainement à San Francisco le PDG de Nvidia, Jensen Huang. Les deux parties discuteront en profondeur de la fourniture d’HBM et des produits NAND de prochaine génération, ainsi que de la coopération concernant la construction de centres de données en Corée du Sud.

Le CMX propulse la demande en NAND, Nvidia s’assure la capacité de Samsung

La création du CMX de Nvidia découle de l’expansion rapide de la quantité de données du "Key-Value Cache" (KV Cache) lors de l’inférence AI. Auparavant, les serveurs GPU pouvaient traiter ces données en interne, mais avec l’augmentation des volumes, des dispositifs de stockage externes autonomes équipés de milliers de TB de SSD sont désormais une configuration essentielle pour les serveurs AI.

D’après wccftech, chaque appareil CMX de Nvidia contient 576 SSD pour une capacité totale de 9600 TB. Le secteur estime que la capacité NAND requise par CMX sera d’environ 35 millions de TB cette année et dépassera 100 millions de TB l’année prochaine. L’analyste indépendant du secteur des semi-conducteurs, @jukan05, a indiqué sur X que 100 millions de TB, c’est comparable à ajouter un Apple entier comme nouvelle source de demande sur le marché du NAND, ce qui représente un choc d’offre majeur.

Actuellement, la capacité mensuelle de production de wafers V-NAND de Samsung dépasse 100 000 unités. Selon les rapports, Nvidia a demandé à Samsung d’augmenter la capacité NAND juste avant la sortie du CMX, et Samsung a répondu positivement. Samsung prévoit une production totale de NAND d’environ 250 millions de TB cette année et entend s’appuyer sur cette capacité mondiale pour consolider sa position de fournisseur central pour le CMX de Nvidia.

Production stable du V9, production de masse du V10, essais du V11 : Samsung avance sur trois générations

Dans la planification des lignes de produits, Samsung avance simultanément sur trois générations de V-NAND.

Pour le V9, Samsung a porté sa part de production à environ 60% de la capacité totale de V-NAND, avec un taux de rendement stable supérieur à 80%, entrant ainsi dans une phase de production mature. Il y a un an, le V8 occupait encore une proportion significative de la production V-NAND, mais celle-ci est désormais tombée sous les 40%, montrant la rapidité de Samsung à répondre à la demande des serveurs AI. De plus, la salle blanche dédiée du quatrième site de Pyeongtaek (P4) dispose de plus de la moitié de l’espace encore inutilisé, offrant une marge importante pour une extension future.

Concernant le V10, Samsung a débuté la production de masse au premier semestre de cette année, mais sa proportion reste inférieure à 5% de la production totale V-NAND, la production étant en phase de montée. Le V10 adopte une architecture à environ 400 couches, offrant une densité de stockage supérieure de plus de 50% par rapport aux 286 couches du V9, permettant de loger davantage de SSD dans un même module CMX. À noter, le V10 sera le premier à utiliser massivement le molybdène pour le câblage, remplaçant le tungstène traditionnel, ce qui réduit l’épaisseur du câblage de 30 à 40%. Samsung avait déjà appliqué cette technologie à petite échelle avec le V9.

Pour le V11, Samsung a lancé la phase d'essai au début de cette année, avec pour objectif une architecture de 400 à 500 couches, soit une centaine de couches de plus que le V10. Samsung prévoit doubler la taille de la production d'essai au second semestre pour recueillir suffisamment de données sur le rendement et accélérer l’établissement d’un système de production de masse.

Effet de concentration de l'offre, marché grand public sous pression

L’approfondissement de l’alliance NAND entre Samsung et Nvidia stimule les perspectives de revenus de Samsung, tout en accentuant la différenciation de l’offre dans l’industrie du stockage.

Selon les rapports, la marge bénéficiaire de Samsung en 2026 devrait dépasser le total cumulé des 40 dernières années, principalement grâce à l’explosion structurale de la demande de stockage pour les serveurs AI. Cependant, le revers de cette médaille est clair : avec une grande part de la capacité dédiée à Nvidia et d’autres grands clients technologiques, l’offre de NAND à destination des autres entreprises et consommateurs sera nettement réduite, ce qui accroît le risque d’augmentation des prix du stockage.

Auparavant, la vague AI avait déjà entraîné une pénurie de DRAM et une forte hausse des prix. Le marché du NAND fait face à une logique similaire de resserrement de l’offre. Alors que l’expédition du CMX de Nvidia s’accélère, cette pression devrait s’intensifier davantage.

A long terme, le développement accéléré du V11 NAND pourrait offrir une marge de soulagement pour le marché grand public — la technologie de stacking à 500 couches permettrait théoriquement de produire en masse des SSD grand public haute capacité à moindre coût, sous réserve que Samsung alloue la capacité nécessaire. Toutefois, au vu des orientations actuelles, cette perspective reste peu optimiste.

Prochaine rencontre entre Lee Jae-yong et Jensen Huang, expansion continue du partenariat

La collaboration entre Samsung et Nvidia s’est étendue des DRAM et HBM aux services de fonderie, et désormais, la mémoire flash NAND s’intègre à leur alliance, approfondissant et élargissant leur coopération.

Selon les rapports, Lee Jae-yong rencontrera prochainement à San Francisco le PDG de Nvidia, Jensen Huang . Les discussions porteront sur l’organisation de la fourniture d’HBM et de produits NAND de prochaine génération, ainsi que sur le partenariat pour la construction de centres de données en Corée du Sud, notamment à Gwangju, Jeolla du Sud.

Selon l’industrie, "l’alliance entre Samsung et Nvidia couvre l’ensemble des activités de stockage et de fonderie, et les discussions entre les deux dirigeants approfondiront encore leur coopération." Avec la livraison imminente du CMX de Nvidia, l’importance stratégique de cette rencontre n’en sera que plus forte.