Matinding kumpetisyon ng NAND sa Korea at Japan: Sabay na magsisimula ng mass production ang Samsung at Kioxia ng pinakabagong AI storage chips

Ang pandaigdigang merkado ng NAND ay pumapasok sa panibagong yugto ng kompetisyon sa teknolohiya. Ngayong taon, puspusang pinapalawak ng Kioxia ng Japan ang mass production ng PCIe 6.0 enterprise SSD at UFS 5.0 mobile storage solution, na tuwirang hinahamon ang nangungunang puwesto ng Samsung Electronics sa AI storage field; lalong umiinit ang tunggalian sa pagitan ng mga storage giant ng Korea at Japan sa bagong henerasyong produkto.

Ayon sa ulat ng Koreanong teknolohiyang media na ZDNet, sinimulan na ng Kioxia ngayong Hulyo ang mass production ng ikasampung henerasyon (BiCS 10) 3D NAND sa Kitakami, Iwate, Japan, at batay dito, nakumpleto rin nila ang komersyalisasyon ng PCIe 6.0 enterprise SSD na CM10. Kasabay nito, inanunsyo rin ng Samsung Electronics na nagsimula na ang mass production ng PCIe 6.0 eSSD product na PM1763 at ilulunsad ngayong buwan ang mass production ng ikasampung henerasyon na V-NAND (V10), humantong sa direktang sagupaan sa mga kritikal na punto sa pagitan ng dalawang kumpanya. Ang sabayang pagpapaunlad ng pinakabagong bersyon ng produkto ng dalawang manufacturer ay magpapabilis sa pag-upgrade ng storage performance ng mga AI data center at AI edge device, at magdadala ng malalim na epekto sa kasalukuyang pattern ng suplay.

Sa market share, ayon sa datos ng market research agency na TrendForce, sa unang quarter ng 2026, Samsung Electronics ay matatag na nangunguna sa global NAND market na may 31.6%, SK hynix na may 17.6% sa ikalawa, at Kioxia sa ikatlo na may 13.9%. Bagama’t hindi kasinglaki ng Koreanong mga kumpanya ang Kioxia, mabilis ang hakbang nito sa AI high-performance storage, kaya’t hindi maaaring maliitin ang pressure ng kompetisyon sa merkado.

Ang pinakabagong teknolohiyang atake ng Kioxia ay nakasalalay sa ikasampung henerasyon ng NAND. Ang BiCS 10 ay gumagamit ng 332-layer stacking process at opisyal nang nagsimula ng mass production sa Kitakami K2 pabrika ngayong Hulyo. Parehas na natapos na ng Samsung Electronics at SK hynix ang mass production ng ika-siyam na henerasyon ng NAND. Bagama’t magkakaiba ang depinisyon ng stacking layers sa bawat henerasyon ng bawat kumpanya, mahirap direktang ikumpara, ngunit napakahalaga para sa industriya na Kioxia ang unang nakapagsimula ng mass production ng NAND na higit sa 300 layers.

Batay dito, inilunsad ng Kioxia ang PCIe 6.0 eSSD CM10 para sa merkado ng data center. Ang PCIe 6.0 ay ang pinakabagong interface standard na nagsimula lamang ngayong taon na maging komersyal, at ayon sa opisyal na datos ng Kioxia, ang CM10 ay may sequential read performance improvement na hanggang 92% kaysa sa nakaraang henerasyon, at random read performance improvement na halos 85%.

Sa direksyon ng AI edge, plano ng Kioxia na simulan ang mass production ng UFS 5.0 storage solution bago matapos ang taon. Ang UFS 5.0 ay ang pinakabagong embedded storage specification na nagsimula na rin ngayong taon ang komersyalisasyon, pangunahing ginagamit para sa mobile NAND scenarios, at may data processing speed na humigit-kumulang 2 beses na mas mataas kaysa sa naunang UFS 4.1. Gamit nito ang self-developed controller at ikawalong henerasyon ng NAND ng Kioxia.

Puspusan ding abala ang Samsung Electronics ngayong taon sa larangan ng NAND. Naipasok na sa mass production ang PM1763 noong Hulyo, na gumagamit ng ika-siyam na henerasyon ng V-NAND at bagong henerasyon ng 4nm controller, bilang unang komersyal na produkto ng Samsung sa PCIe 6.0 track.

Sa aspeto ng mobile storage, natapos na ng Samsung ang development ng UFS 5.0 product noong Hunyo at planong simulan ang mass production nito sa ikaapat na quarter ng taon. Batay ito sa ika-siyam na henerasyon ng NAND at may data transmission bandwidth na 10.8GB/s. Inilalagay ito ng Samsung bilang mataas na antas sa industriya at epektibong pinapababa ang power consumption.

Lalo ring binibigyang pansin ng merkado ang paglulunsad ng mass production ng Samsung V10 NAND. Tinatayang mahigit 430 layers ang stack ng V10, at unang ipinatutupad dito ang hybrid bonding process at three-stack (3-Stack) architecture, na nangangahulugang pumapasok na sa bagong antas sa proseso ng NAND ang Samsung. Ayon sa mga impormante mula sa industriya ng semiconductors, kamakailan ay natapos na ng Samsung ang internal product mass production approval (PRA) ng V10 at opisyal na inanunsyo ang plano para sa mass production. Gayunpaman, binanggit din ng nasabing source na hindi pa lubos na nagsimula ang malakihang investment sa mass production equipment, kaya’t inaasahan na mababa pa ang initial output.

Nakatuon ang kasalukuyang tunggalian ng Korean at Japanese manufacturers sa application scenes ng AI. Ang PCIe 6.0 ay tumutugon sa high-throughput storage demand ng mga AI data center, habang ang UFS 5.0 ay layong mabilis na mapabuti ang lokal na storage performance ng AI edge devices. Ang dalawang linya ng produkto ay tumutugma sa expansion direction ng AI industry sa kasalukuyan.

Ipinapakita ng mabilis na pagpapaunlad ng Kioxia na lalong umiiksi ang iteration cycle ng teknolohiya ng global NAND market, at malaking nabawasan ang agwat ng mga nangungunang kumpanya sa commercialization window ng mga bagong specification na produkto. Para sa mga namumuhunan sa AI infrastructure, malulutas sa pagitan ng taong ito at susunod na taon ang bottleneck sa performance ng storage, habang dumarami ang mass production ng mga bagong specification na produktong nabanggit.