zHBM! Samsung представила новую дорожную карту 3D-памяти, нацелившись на лидерство в области AI-технологий
В заявлении компания Samsung сообщила, что её новая система под названием zHBM вертикально интегрирует память с высокой пропускной способностью непосредственно на AI-ускоритель, обеспечивая производительность, примерно в восемь раз превышающую показатели следующего поколения HBM5. В рамках усилий по превращению в поставщика сквозной инфраструктуры для эры искусственного интеллекта, Samsung также представила другие новые технологии, включая архитектуры zNAND-O и V10 BV-NAND.
Samsung Electronics активно рекламирует свои передовые решения в области памяти, подчеркивая улучшения в производительности и энергоэффективности, чтобы обойти SK hynix и Micron Technology в конкурентной борьбе.
4 августа по местному времени Samsung Electronics на ежегодном саммите FMS по индустрии хранения данных официально анонсировала две концептуальные разработки: zHBM и zNAND-O, а также первую в отрасли V10 BV-NAND с более чем 400 слоями, построенную по технологии склеивания пластин (wafer bonding).
В частности, zHBM вертикально размещает высокоскоростную память непосредственно на чипе AI-ускорителя, обеспечивая производительность, примерно в 8 раз превышающую показатели следующего поколения HBM5.
Эти технологические анонсы происходят на фоне нарастания конкуренции в индустрии памяти. Как сообщает «Ведомости Уолл-стрит», SK hynix совместно с SanDisk на этой конференции впервые представили мировой стандарт для высокоскоростной флеш-памяти (HBF).
Технология HBF позиционируется как новый уровень хранения данных между высокоскоростной памятью (HBM) и твердотельными накопителями (SSD), призванный одновременно решить проблемы пропускной способности и масштабирования ёмкости в сценариях AI-инференса.
zHBM — революция в архитектуре упаковки памяти
zHBM — наиболее обсуждаемая технологическая концепция среди представленных на конференции.
В существующих схемах HBM память размещается рядом с чипом AI с помощью кремниевой подложки (interposer), что называется упаковкой типа 2.5D. Такой подход используют AMD, Nvidia и другие компании для топовых AI-приложений.
Технология zHBM от Samsung отходит от этого стандарта — HBM размещается вертикально непосредственно на чипе AI-ускорителя.
Samsung заявила, что значительно сокращая расстояние передачи данных между AI-процессором и памятью, zHBM обеспечивает большую пропускную способность и улучшенную энергоэффективность, отвечая требованиям высокоскоростной обработки данных при масштабном обучении и инференсе AI.
Согласно спецификациям, представленным Samsung, благодаря новому поколению технологии склеивания пластин плотность памяти zHBM превышает HBM5 более чем в 10 раз, энергоэффективность возрастает в 3 раза, а тепловое сопротивление снижается более чем на 50%.
Технология также поддерживает интеграцию кастомных IP — в промежуточном слое между памятью и AI-ускорителем можно интегрировать индивидуальные разработки, расширяя ёмкость памяти и улучшая характеристики ускорителя.
Samsung прогнозирует начало массового производства этой технологии примерно к 2029 году, но пока не уточнила сроки выхода на рынок HBM5 или zHBM.
В то же время Samsung сообщила, что уже в феврале этого года первой запустила массовое производство HBM4 на базе 1c DRAM-процесса и 4-нм подложки, а в мае отправила клиентам первые образцы HBM4E.
Аналог HBF — решение zNAND-O для edge-AI с высокой скоростью передачи данных
Параллельно Samsung представила zNAND-O, новое поколение высокопроизводительной NAND-памяти, построенной на базе технологии V-NAND, с планируемым запуском в серийное производство в 2028 году; будет доступно в версиях с четырьмя и восьмью слоями.
По технической реализации zNAND-O схож с понятием высокоскоростной флеш-памяти (HBF), ранее разработанной SK hynix и SanDisk — также используются TSV и интерфейс UCIe.
Однако, как пояснили представители Samsung, назначение этих технологий принципиально различается:
HBF был создан для заполнения промежуточного слоя памяти на стороне сервера рядом с AI-ускорителем, в то время как zNAND-O предназначен для хранения больших моделей непосредственно в устройствах на стороне пользователя с возможностью взаимодействия с NPU.
По словам Samsung, zNAND-O благодаря высокой плотности, улучшенной работе интерфейсов ввода-вывода и низким задержкам оптимизирована для edge-AI — поддержки задач реального времени и энергоёмких приложений на устройствах.
V10 BV-NAND — первая в отрасли память с более чем 400 слоями, объединённая по технологии wafer bonding
Также была представлена V10 BV-NAND — первый в истории Samsung 3D NAND-продукт, реализованный на архитектуре wafer bonding (склеивание пластин).
С момента выпуска первой в отрасли V-NAND на Flash Memory Summit в 2013 году прошли 13 лет, и теперь компания выходит на новый технологический уровень.
V10 BV-NAND имеет более 400 слоев, при этом хранение данных реализовано посредством вертикальной укладки ячеек с помощью wafer bonding; плотность памяти увеличилась примерно на 58% по сравнению с предшественником V9.
Этот продукт также превосходит предыдущие поколения по скорости чтения, записи и обмена данными и предназначен для поддержки AI-систем и приложений будущего, требующих высокопроизводительной и ёмкой NAND-памяти.
Полный стек AI-памяти: от HBM до PIM и корпоративного хранения
Помимо новейших концептуальных продуктов, на выставке Samsung системно представила весь спектр решений для AI: от HBM4E и HBM5 до LPDDR5X-PIM и PM1763.
В частности, LPDDR5X-PIM — первая в индустрии LPDDR-память с технологией обработки в памяти (Processing-in-Memory, PIM), позволяющая выполнять вычисления прямо в памяти, что увеличивает эффективность работы с данными и снижает энергопотребление.
В области корпоративного хранения данных Samsung показала решения PM1763 и BM1773, отвечающие растущим запросам AI-центров по объёму и скорости хранения.
Как уникальный интегрированный производитель с лидирующими компетенциями сразу в трёх областях — производство памяти, wafer foundry и передовые упаковочные технологии — Samsung позиционирует свои продукты как единое решение для построения end-to-end AI-инфраструктуры, помогающее клиентам ускорить вывод на рынок и создание дифференцированных AI-полупроводников.
Дисклеймер: содержание этой статьи отражает исключительно мнение автора и не представляет платформу в каком-либо качестве. Данная статья не должна являться ориентиром при принятии инвестиционных решений.
Вам также может понравиться
CITIC Securities: с высокой вероятностью уровень в 4000 долларов является дном текущего цикла; ожидается, что цена на золото вернётся в восходящий канал в этом году.
В этом году после стремительного роста цена на золото быстро снизилась, однако золото всё ещё находится в фазе бычьего рынка. Причинами этого стали ускоряющийся рост дефицита бюджета США, усиливающиеся геополитические разногласия на фоне деглобализации и продолжающаяся поддержка со стороны мировых центральных банков, скупающих золото.
Центры обработки данных начинают «революцию высокоскоростных соединений»! Выручка Arista (ANET.US) выросла на 38%. Сильный прогноз прибыли подтверждает суперцикл AI Ethernet.
Будь то GPU от Nvidia, GPU от AMD, TPU о т Google или собственные AI ASIC/XPU, разрабатываемые облачными гигантами, строительство AI-центров обработки данных невозможно без ведущей высокопроизводительной Ethernet-инфраструктуры и программных платформ от Arista Networks. Благодаря сильным финансовым показателям и позитивным прогнозам, акции Arista подскочили на 16% после закрытия торгов.
Выручка AMD (AMD.US) выросла на 50%, бизнес в сфере дата-центров удвоился, однако бумаги были распроданы из-за того, что прогноз по ро сту не впечатлил рынок.
После закрытия торгов во вторник по восточному времени компания AMD опубликовала отчет за второй квартал 2026 финансового года: общие результаты превзошли рыночные ожидания, однако прогноз по выручке на третий квартал лишь немного превысил консенсус, что значительно ниже ожиданий некоторых инвесторов относительно "суперрывка". Это привело к падению акций компании более чем на 9% после закрытия торгов.
Финансовые результаты превзошли ожидания, но не смогли противостоять "черной дыре" расходов на искусственный интеллект! Капитальные затраты SpaceX (SPCX.US) во втором квартале выросли до 18,4 млрд долларов, капитализация компании после закрытия рынков снизилась более чем на 100 млрд.
После того как SpaceX (SPCX.US) раскрыла, что её расходы на искусственный интеллект превышают ожидания, акции компании упали, и этот факт омрачил первый квартальный отчёт, который в целом превзошёл прогнозы Уолл-стрит.
Цены на крипто
Далее
